Articles

Found 7 Documents
Search

Effect of Growth Temperature and Mn Incorporation on GaN:Mn Thin Films Grown by Plasma-Assisted MOCVD Mulyanti, Budi; Subagio, A.; Arsyad, F. S.; Arifin, P.; Barmawi, M.; Irzaman, Irzaman; Jamal, Z.; Hashim, U.
Journal of Mathematical and Fundamental Sciences Vol 40, No 2 (2008)
Publisher : ITB Journal Publisher, LPPM ITB

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (285.58 KB) | DOI: 10.5614/itbj.sci.2008.40.2.1

Abstract

In this paper, the growth of GaN:Mn thin films by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (PAMOCVD) method is reported. The method used in this study, utilizes a microwave cavity as a cracking cell to produce nitrogen radicals, which in turn reduce the growth temperature. Trimethylgallium (TMGa), nitrogen (N2) and cyclopentadienyl manganese tricarbonyl (CpMnT) were used as a source of Ga, N and Mn, respectively, while hydrogen gas was used as a carrier gas for both TMGa and CpMnT. The effect of growth temperature and Mn incorporation on structural properties and surface morphology of GaN:Mn films are presented. The growth of GaN:Mn thin films were conducted at varied growth temperature in range of 625 oC to 700 oC and the Mn/Ga molar fraction in the range of 0.2 to 0.5. Energy dispersive of X-ray (EDX) and X-ray diffraction (XRD) methods were used to analyze atomic composition and crystal structure of the grown films, respectively. The surface morphology was then characterized using both atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM) images. A systematic XRD analysis reveal that maximum Mn incorporation that still produces single phase GaN:Mn (0002) is 6.4 % and 3.2 % for the film grown at 650 oC and 700 oC, respectively. The lattice constant and full width at half maximum (FWHM) of the single phase films depend on the Mn concentration. The decrease in lattice constant accompanied by the increase in FWHM is due to incorporation of substitutional Mn on the Ga sub-lattice. The maximum values of doped Mn atoms incorporated in the wurtzite structure of GaN:Mn as substitutional atoms on Ga sub-lattice are 2.0 % and 2.5 % at 650 oC and 700 oC, respectively. AFM and SEM images show that the film grown at lower growth temperature and Mn concentration has a better surface than that of film grown at higher growth temperature and Mn concentration.
ANTENA MIKROSTRIP MONOPOLE PITA LEBAR SEGI EMPAT UNTUK APLIKASI DVB-T Nurvitasari, Ratna; Haryadi, Tommi; Mulyanti, Budi
ELECTRANS Vol 13, No 2 (2014): Volume 13, Nomor 2, Tahun 2014
Publisher : Universitas Pendidikan Indonesia

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (457.632 KB)

Abstract

Pada makalah ini dilakukan perancangan dan fabrikasi antena mikrostrip monopole berbentuk segi empat untuk aplikasi Digital Video Broadcasting-Terestrial (DVB-T) pada frekuensi 478-694 MHz. Sebelum fabrikasi, terlebih dahulu dilakukan simulasi menggunakan perangkat lunak 3D Electromagnetic Simulator. Berdasarkan hasil simulasi, nilai return loss kurang dari -10 dB diperoleh  pada rentang  frekuensi 478-882 MHz, gain antena sebesar 1-3 dBi, dan pola radiasi omnidirectional. Fabrikasi Antena mikrostrip menggunakan substrat FR-4 dengan konstanta dielektrik 4,65 dan tebal 1,6 mm. Hasil pengukuran menunjukkan bahwa antena ini dapat diaplikasikan untuk DVB-T di Indonesia.
RANCANG BANGUN BAND PASS FILTER MIKROSTRIP HAIRPIN DENGAN OPEN STUB DAN DEFECTED GROUND STRUCTURE (DGS) UNTUK FREKUENSI UMTS 3G (1920-1980 MHz) Setiawan, Agus; Haryadi, Tommi; Mulyanti, Budi
ELECTRANS Vol 13, No 2 (2014): Volume 13, Nomor 2, Tahun 2014
Publisher : Universitas Pendidikan Indonesia

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (582.713 KB)

Abstract

Pada penelitian ini telah dirancang Band Pass Filter (BPF) dengan frekuensi tengah 1950 MHz. Disain BPF dilakukan pada saluran mikrostrip dengan open stub dan defected  ground  structure (DGS) menggunakan metode hairpin. Simulasi dilakukan dengan menggunakan CST Studio Suite 2012 pada substrat rogers RT5880 yang memiliki permitivitas relatif 2,2 dan ketebalan 1,58 mm. Hasil simulasi BPF menggunakan elemen chebyshev orde ke empat menunjukan BPF memiliki bandwidth sempit dan terjadi sedikit peningkatan return loss. Sementara itu, hasil simulasi BPF  yaitu frekuensi kerja 1918-1979 MHz, insertion loss -1,3 dB, return loss -10,82 dB, impedansi karakteristik 50,3 ohm,dan bandwidth 61 MHz. Sedangkan  hasil pengukuran menunjukan bahwa frekuensi kerja 1926-1986 MHz, insertion loss -1,7 dB, return loss -19 dB, VSWR 1,28, dan bandwidth 60 MHz.
Rancang Bangun Antena Unidirectional Ultra-Wideband dengan Desain Fork-Shaped Tuning Stub menggunakan Bahan Dielektrik Fr-4 Huda, Yusron Tri; Hariyadi, Tommi; Mulyanti, Budi
ELECTRANS Vol 14, No 1 (2016): Volume 14, Nomor 1, Tahun 2016
Publisher : Universitas Pendidikan Indonesia

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (593.794 KB)

Abstract

In this paper, Ultra Wide Band (UWB) mictrostrip antenna was designed for through-wall-imaging radar. The simulation was carried out using CST Studio. The FR-4 substrate with dielectric constant of 4,3 and thickbess of 1,6 mm is used in this project. The simulation result confirm that antenna have 4,8 GHz of bandwidth from 4,2 to 9 GHz with -10dB return loss. The measured result confirm that antenna have 5 GHz bandwidth from 3,8 to 8,8 GHz with a same return loss.
Karakteristik Life Time dan Efisiensi Modul Surya Berbasis Pewarna Menggunakan Interkoneksi Seri Febriana, Iqbal; Muliani, Lia; Mulyanti, Budi
Jurnal Elektronika dan Telekomunikasi Vol 15, No 1 (2015)
Publisher : Indonesian Institute of Sciences

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.14203/jet.v15.28-32

Abstract

Sel surya berbasis pewarna atau yang dikenal dengan dye-sensitized solar cell (DSSC) merupakan sel surya generasi baru yang bekerja berdasarkan photoelectrochemical. Proses absorpsi cahaya dilakukan oleh molekul pewarna (dye) dan proses pemisahan muatan oleh bahan semikonduktor anorganik (dalam penelitian ini digunakan TiO2). Dalam penelitian ini dilakukan pabrikasi modul surya menggunakan lapisan partikel nano TiO2 (non-scattering) dan menggunakan campuran lapisan partikel nano TiO2 dengan lapisan partikel sub-mikron TiO2 (scattering). Tujuan penelitian ini adalah untuk mengetahui waktu hidup (life time) dan efisiensi modul surya dengan bahan yang berbeda. Pabrikasi modul surya ini menggunakan teknik screen printing. Karakteristik life time diperoleh dari hasil pengukuran I-V yang dilakukan secara manual menggunakan lampu LED 15 Watt dengan intensitas 40 mW/cm2 . Pengujian life time dilakukan selama 500 jam, dan hasilnya menunjukkan bahwa modul surya dengan lapisan scattering dapat mempengaruhi karakteristik life time namun efisiensi yang didapatkan kurang baik yaitu sebesar 0,31% sedangkan modul surya dengan lapisan non-scattering menunjukkan efisiensi yang baik yaitu sebesar 1,83% namun karakteristik life time yang kurang baik.
Simulation and Fabrication of Double Barrier Structure of P-I-N Amorphous Silicon (a-Si) Device Hamidah, Ida; Kardiawarman, Kardiawarman; Mulyanti, Budi; Suhandi, Andi
Journal of Mathematical and Fundamental Sciences Vol 33, No 1 (2001)
Publisher : ITB Journal Publisher, LPPM ITB

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (360.567 KB)

Abstract

Abstract. The application of double barrier (DB) structure in p-i-n amorphous silicon (a-Si) device was studied. The theoretical study was done to obtain device parameters such as tunneling probability and current density. The tunneling probability was calculated by employing the Schroedinger equation, WKB approximation and Green function. Width of potential well, width and height of barrier were varied to obtain the highest tunneling probability value. The current density was contributed by diffusion, and tunneling current densities. It was found that current density had a peak of 3950 A/m2 at 0.56 volt forward bias. Furthermore, the fabrication of p-i-n a-Si device with double barrier structure was successfully carried out. To realize the double barrier structure, optimization of optical band gap of barrier a-SiC:H was done by varying ratio of CH4 to [CH4+SiH4]. The fabrication of p-i-n a-Si device was then done by using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique with a structure of glass substrate/TCO/p-a-Si:H (2.15 eV;140Å)/i-a-Si:H (1.81 eV;1800 Å)/barrier a-SiC:H (2.36 eV;45 Å)/potential well i-a-Si:H (1/81 eV; 30 Å)/barrier a-SiC:H (2.36 eV; 45 Å)/n-a-Si:H (1.81 eV;180 Å)/Al. The I-V characteristic of the device showed a peak current calue at 0.55 forward bias. Simulasi dan Fabrikasi Struktur Double Barrier pada Divais Amorphous SiliconSari. Aplikasi struktur double barrier (DB) pada divais amorphous silicon (a-Si) telah dilakukan untuk memperoleh beberapa parameter divais seperti probabilitas tunneling dan rapat arus. Probabilitas tunneling dihitung dengan menerapkan persamaan Schroedinger, pendekatan WKB dan fungsi Green. Lebar sumur potensial, lebar dan tinggi barrier telah divariasikan untuk memperoleh harga probabilitas tunneling yang maksimum. Rapat arus total dari divais dalam perhitungan ini merupakan jumlah dari rapat arus difusi dan rapat arus tunneling. Diperoleh bahwa rapat arus total memiliki nilai maksimum sebesar 3950 A/m2 pada tegangan bias maju 0,56 volt. Selanjutnya, telah berhasil juga difabrikasi divais p-i-n a-Si dengan struktur double barrier. Didapatkan bahwa karakteristik I-V dari divais menunjukkan adanya puncak rapat arus pada tegangan bias maju 0,55 volt.ihamidah@eudoramail.com
SIFAT STRUKTUR SEMIKONDUKTOR FEROMAGNETIK GaN-Mn YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PA-MOCVD Mulyanti, Budi; Mujamilah, Mujamilah; Subagio, A.; Arsyad, F. S.; Sukirno, Sukirno; Barmawi, M.; Budiman, M.; Arifin, P.
Jurnal Sains Materi Indonesia Edisi Khusus, Oktober 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Material - National Nuclear Energy Agency of

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (169.5 KB) | DOI: 10.17146/jusami.2006.0.0.5184

Abstract

SIFAT STRUKTUR SEMIKONDUKTOR FEROMAGNETIK GaN-Mn YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PA-MOCVD. Semikonduktor feromagnetik film tipis GaN-Mn yang ditumbuhkan dengan metode Plasma-Assited Metalorganic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD) di atas substrat safir bidang-c. Efek inkorporasi Mn dalam film tipis GaN-Mn terhadap sifat struktur dan magnetik akan dibahas dalam makalah ini. Trimethylgallium (TMGa), nitrogen (N2) dan Cyclopentadienyl Manganese Tricarbonyl (CpMnTc) masing-masing digunakan sebagai sumber Ga, N dan Mn, dan gas hidrogen digunakan sebagai gas pembawa untuk TMGa dan CpMnT. Penumbuhan dilakukan dengan cara memvariasikan suhu penumbuhan, rasio fluks V/III dan fraksi molar Mn/Ga masing-masing dalam selang 625 oC sampai dengan 700 oC, 440 sampai dengan 1080, dan 0,1 sampai dengan 0,6. Pola difraksi sinar-X dari film tipis GaN-Mn yang ditumbuhkan pada suhu 650 oC memperlihatkan satu puncak GaN-Mn (0002) untuk konsentrasi Mn 6,4 % yang mengindikasikan bahwa film ini berorientasi kristal tunggal. Sementara pada suhu yang lebih tinggi (Tg = 700oC) diperoleh fase kristal tunggal untuk film dengan konsentrasi Mn 3,2 %. Harga konstanta kisi dan FWHM (Full-Width at Half Maximum) dari film kristal tunggal sangat bergantung pada konsentrasi Mn. Hasil pengukuran magnetisasi film GaN-Mn menunjukkan perilaku histeresis pada suhu kamar. Harga momen magnetik per atom Mn tertinggi diperoleh sampel dengan konsentrasi Mn 2,5 %. Kenaikan konstanta kisi pada konsentrasi Mn di atas 2,5% bersama-sama dengan penurunan momen magnetik mengindikasikan bahwa harga solubilitas Mn maksimum mensubstitusi Ga dalam GaN-Mn adalah sebesar 2,5 %.