A. Subagio
Jl. Prof. Sudarto, SH., Tembalang Semarang

Published : 5 Documents
Articles

Found 5 Documents
Search

Sintesis dan Karakterisasi Material Nanokomposit CNT/MnO2 Untuk Aplikasi Material Superkapasitor Subagio, A.; -, Priyono; -, Pardoyo; Yudianti, R.
Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia Vol 10, No 1 (2014): January 2014
Publisher : Physics Department, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Semarang State University

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/jpfi.v10i1.3056

Abstract

Telah dilakukan fabrikasi material nanokomposit CNT/MnO2 sebagai material elektroda superkapasitor dengan reaksi redox antara CNT dan KMnO4. Variasi komposisi dari kedua bahan tersebut dilakukan untuk mengetahui sifat struktur, morfologi dan kelistrikannya dengan perbandingan massa CNT/MnO2 sebesar 0, 25, 50 dan 75%. Pola struktur kristal dan morfologi dari material serbuk nanokomposit CNT/MnO2 dikarakterisasi dengan X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM) dan transmission electron microscope (TEM), sedangkan pola ikatannya dikarakterisasi dengan FTIR. Serbuk nanokomposit CNT/MnO2 ini selanjutnya dibuat pellet berbentuk silinder berukuran diameter 1 cm dan ketebalan 2 mm dengan variasi penambahan pengikat polyvinylidene difluoride (PVDF) sebesar 10, 20 dan 30% dari campuran CNT/MnO2. Pellet dari material CNT/MnO2 ini selanjutnya dipanaskan pada temperatur 70 oC selama 1 jam. Hasil pengukuran resistansinya menunjukkan bahwa material CNT/MnO2 dengan perbandingan massa CNT/MnO2 sebesar 75% dan penambahan pengikat PVDF sebesar 20% menunjukkan nilai resistansi yang paling rendah. Selanjutnya prototip superkapasitor CNT/MnO2 dengan menggunakan PVDF sebesar 20% diukur dengan metode electrochemical impedance spectroscopy menghasilkan nilai kapasitansi spesifik sebesar 7,86 F/gr. Nanocomposite materials CNT/MnO2 have been fabricated as candidate of supercapacitor electrode material with a redox reaction between CNT and KMnO4. Variations in the composition of the two materials were carried out to determine the structure, morphology and electrical properties of CNT/MnO2 with mass ratio of 0, 25, 50 and 75 %. Pattern of the crystal structure and morphology of the CNT/MnO2 nanocomposite powder were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM) and transmission electron microscope (TEM), while the bond pattern was characterized by FTIR. CNT/MnO2 nanocomposite powder was managed to make cylindrical pellets with diameter of 1 cm and thickness of 2 mm with variations addition of binder polyvinylidene difluoride (PVDF) of 10, 20 and 30%. Pellets of the material were then heated at a temperature of 70 oC for 1 hour. Resistance measurement results showed that the ratio of the mass of material CNT/MnO2 by 75% and additions by 20% PVDF binder showed the lowest resistance value. Furthermore, CNT/MnO2 supercapacitor prototype using PVDF of 20% measured with electrochemical impedance spectroscopy method showed specific capacitance of 7.86 F/gr.
Sintesis dan Karakterisasi Material Nanokomposit CNT/MnO2 Untuk Aplikasi Material Superkapasitor Subagio, A.; -, Priyono; -, Pardoyo; Yudianti, R.
Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia Vol 10, No 1 (2014): January 2014
Publisher : Department of Physics, Faculty of Mathematics and Natural Sciences

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/jpfi.v10i1.3056

Abstract

Telah dilakukan fabrikasi material nanokomposit CNT/MnO2 sebagai material elektroda superkapasitor dengan reaksi redox antara CNT dan KMnO4. Variasi komposisi dari kedua bahan tersebut dilakukan untuk mengetahui sifat struktur, morfologi dan kelistrikannya dengan perbandingan massa CNT/MnO2 sebesar 0, 25, 50 dan 75%. Pola struktur kristal dan morfologi dari material serbuk nanokomposit CNT/MnO2 dikarakterisasi dengan X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM) dan transmission electron microscope (TEM), sedangkan pola ikatannya dikarakterisasi dengan FTIR. Serbuk nanokomposit CNT/MnO2 ini selanjutnya dibuat pellet berbentuk silinder berukuran diameter 1 cm dan ketebalan 2 mm dengan variasi penambahan pengikat polyvinylidene difluoride (PVDF) sebesar 10, 20 dan 30% dari campuran CNT/MnO2. Pellet dari material CNT/MnO2 ini selanjutnya dipanaskan pada temperatur 70 oC selama 1 jam. Hasil pengukuran resistansinya menunjukkan bahwa material CNT/MnO2 dengan perbandingan massa CNT/MnO2 sebesar 75% dan penambahan pengikat PVDF sebesar 20% menunjukkan nilai resistansi yang paling rendah. Selanjutnya prototip superkapasitor CNT/MnO2 dengan menggunakan PVDF sebesar 20% diukur dengan metode electrochemical impedance spectroscopy menghasilkan nilai kapasitansi spesifik sebesar 7,86 F/gr.Nanocomposite materials CNT/MnO2 have been fabricated as candidate of supercapacitor electrode material with a redox reaction between CNT and KMnO4. Variations in the composition of the two materials were carried out to determine the structure, morphology and electrical properties of CNT/MnO2 with mass ratio of 0, 25, 50 and 75 %. Pattern of the crystal structure and morphology of the CNT/MnO2 nanocomposite powder were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM) and transmission electron microscope (TEM), while the bond pattern was characterized by FTIR. CNT/MnO2 nanocomposite powder was managed to make cylindrical pellets with diameter of 1 cm and thickness of 2 mm with variations addition of binder polyvinylidene difluoride (PVDF) of 10, 20 and 30%. Pellets of the material were then heated at a temperature of 70 oC for 1 hour. Resistance measurement results showed that the ratio of the mass of material CNT/MnO2 by 75% and additions by 20% PVDF binder showed the lowest resistance value. Furthermore, CNT/MnO2 supercapacitor prototype using PVDF of 20% measured with electrochemical impedance spectroscopy method showed specific capacitance of 7.86 F/gr.
Epitaxy of GaN Film by Hydrogen Plasma Assisted MOCVD Sugianto, Sugianto; Subagio, A.; Erzam, Erzam; Sani, R.A.; Budiman, M.; Arifin, P.; Barmawi, M.
Journal of Mathematical and Fundamental Sciences Vol 33, No 1 (2001)
Publisher : ITB Journal Publisher, LPPM ITB

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Abstract. We have studied the effect of hydrogen plasma on GaN film, grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). GaN films grown on a sapphire (0001) without the buffer layer have a polycrystalline structure. While films grown using the buffer layer tends to have a single crystal orientation. We have tried to increase the growth rate by varying the TMGa:N ratio. We found that the growth rate of the films were 450 nm/h with TMGa:N ratio of 1:600. However the films show a polycrystalline structure. Using hydrogen plasma during the growth, we have shown by XRD analysis that the films structure was highly oriented in (0002) plane  parallel to substrate and the crystalline quality is improved. Epitaksi Film GaN dengan MOCVD Berbatuan Plasma HidrogenSari. Telah dipelajari efek dari plasma hydrogen pada film Gan, yang ditumbuhkan dengan MOCVD yang dibantu dengan plasma. Film GaN ditumbuhkan di atas safir (0001) tanpa bantuan lapisan penyangga mempunyai struktur polikristalin. Sedangkan film yang ditumbuhkan dengan bantuan lapisan penyangga mempunyai kecenderungan membentuk Kristal dengan orientasi tunggal. Telah dicoba untuk menaikkan kecepatan pertumbuhan Kristal dengan mengubah-ubah perbandingan TMGa:N. Telah diperoleh kecepatan pertumbuhannya menjadi 450nm/jam bila perbandingan tersebut 1:600, akan tetapi strukturnya memperlihatkan sifat polikristal. Dengan bantuan plasma hidrogen analisis XRD menunjukkan bahwa orientasi film sejajar dengan arah (0002) dan sifat kristalnya dapat diperbaiki.
SIFAT STRUKTUR SEMIKONDUKTOR FEROMAGNETIK GaN-Mn YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PA-MOCVD Mulyanti, Budi; Mujamilah, Mujamilah; Subagio, A.; Arsyad, F. S.; Sukirno, Sukirno; Barmawi, M.; Budiman, M.; Arifin, P.
Jurnal Sains Materi Indonesia Edisi Khusus, Oktober 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Material - National Nuclear Energy Agency of

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.17146/jusami.2006.0.0.5184

Abstract

SIFAT STRUKTUR SEMIKONDUKTOR FEROMAGNETIK GaN-Mn YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PA-MOCVD. Semikonduktor feromagnetik film tipis GaN-Mn yang ditumbuhkan dengan metode Plasma-Assited Metalorganic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD) di atas substrat safir bidang-c. Efek inkorporasi Mn dalam film tipis GaN-Mn terhadap sifat struktur dan magnetik akan dibahas dalam makalah ini. Trimethylgallium (TMGa), nitrogen (N2) dan Cyclopentadienyl Manganese Tricarbonyl (CpMnTc) masing-masing digunakan sebagai sumber Ga, N dan Mn, dan gas hidrogen digunakan sebagai gas pembawa untuk TMGa dan CpMnT. Penumbuhan dilakukan dengan cara memvariasikan suhu penumbuhan, rasio fluks V/III dan fraksi molar Mn/Ga masing-masing dalam selang 625 oC sampai dengan 700 oC, 440 sampai dengan 1080, dan 0,1 sampai dengan 0,6. Pola difraksi sinar-X dari film tipis GaN-Mn yang ditumbuhkan pada suhu 650 oC memperlihatkan satu puncak GaN-Mn (0002) untuk konsentrasi Mn 6,4 % yang mengindikasikan bahwa film ini berorientasi kristal tunggal. Sementara pada suhu yang lebih tinggi (Tg = 700oC) diperoleh fase kristal tunggal untuk film dengan konsentrasi Mn 3,2 %. Harga konstanta kisi dan FWHM (Full-Width at Half Maximum) dari film kristal tunggal sangat bergantung pada konsentrasi Mn. Hasil pengukuran magnetisasi film GaN-Mn menunjukkan perilaku histeresis pada suhu kamar. Harga momen magnetik per atom Mn tertinggi diperoleh sampel dengan konsentrasi Mn 2,5 %. Kenaikan konstanta kisi pada konsentrasi Mn di atas 2,5% bersama-sama dengan penurunan momen magnetik mengindikasikan bahwa harga solubilitas Mn maksimum mensubstitusi Ga dalam GaN-Mn adalah sebesar 2,5 %.
STUDI STRUKTURMIKRO DAN MORFOLOGI FILM InXGa1-XN YANG DITUMBUHKAN DI ATAS SUBSTRAT SAPPHIRE (0006) DENGAN METODE MOCVD BERBANTUAN PLASMA Subagio, A.; Sutanto, H.; Supriyanto, E.; Irzaman, Irzaman; Budiman, M.; Arifin, P.; Sukirno, Sukirno; Barmawi, M.
Jurnal Sains Materi Indonesia Edisi Khusus, Oktober 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Material - National Nuclear Energy Agency of

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.17146/jusami.2006.0.0.5181

Abstract

STUDI STRUKTURMIKRO DAN MORFOLOGI FILM InXGa1-XN YANG DITUMBUHKAN DI ATAS SUBSTRAT SAPPHIRE (0006) DENGAN METODE MOCVD BERBANTUAN PLASMA. Telah ditumbuhkan film tipis InXGa1-XN di atas substrat sapphire (0006) dengan metode MOCVD berbantuan plasma. Penumbuhan dilakukan pada suhu 650 oC dengan variasi komposisi uap TMIn (xv) sebesar 10 %, 20 %, 30 %, 50 % dan 100 %. Hasil analisis XRD menunjukkan fenomena pemisahan fasa yang disebabkan oleh ketidaksesuaian kisi antara InN dan GaN pada film InX1-XN dengan komposisi padatan indium (In) 0,02 dan 0,18. Proses nukleasi masih terjadi pada film-film ini, dimana tingkat kekasaran relatif masih tinggi sekitar 150 nm. Film dengan komposisi padatan indium (x) 0,28 dan 0,61 menunjukkan adanya kecendurungan fasa tunggal pada InGaN (0002). Mekanisme penggabungan (coalescence) grain terjadi pada film-film ini dengan ditandai oleh ekspansi grain secara lateral. Hal ini menyebabkan tingkat kekasaran permukaan relatif lebih rendah sekitar 100 nm.